EEPROM Memory; 8kb; 1kx8bit; 400kHz; serial I2C; 5ms; 2.7V-5.5V; -55+125 deg.C; THT; DIL8
Microcontroller PIC18; 8bit Harvard; 40MHz; FLASH 32kB; SRAM 1.5kB; EEPROM 256B; 4.2-5.5V; -40+85deg.C; PDIP40
Integrated Circuit Operational Amplifier: low-power; CH:4; 3MHz; JFET-input; ±3.5-±18V; 0+70 deg.C; THT; DIP14
Transistor: PNP; bipolar; -300V; -0.1A; 1.2W; -65+150 deg.C; SMD; SOT223
Transistor: NPN-Darlington; bipolar; 100V; 15A; 150W; -65+150 deg.C; THT; TO218
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 0.18ohm; 3.13W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
Transistor: NPN; bipolar; 450V; 8A; 100W; -65+175 deg.C; THT; TO220
Logic IC Shift Register; 8bit; IN: serial; OUT: serial/parallel, 3-state; CMOS 74HC; 2-6V; -55+125 deg.C; SMD; DIP16
Fast Rectifying Diode; 400V; 6A; 150pF; -55+150 deg.C; THT; R6
FLASH Memory; 4Mb; 512kx8bit/256kx16bit; parallel 16bit; 2.7V-3.6V; -40+85 deg.C; SMD; SO44
Microcontroller PIC16; 8bit Harvard; 20MHz; FLASH 3.5kB; SRAM 128kB; EEPROM 256B; COMP; 2-5.5V; -40+85deg.C; PDIP14
Voltage Regulator; linear; fixed; Vout: -24V; Vin: -33V; Vd: 2V; 2%; 1A; 0+125 deg.C; THT; TO220
Zdjęcie poglądowe – produkt zgodny z opisem może się różnić od przedstawionego na zdjęciu (kształt, kolor, inne cechy)