Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 360mA; 1.6ohm; 350mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100
FLASH Memory; 1Gb; 128Mx8bit; parallel 8bit; 5ns; 2.7V-3.6V; -40+85 deg.C; SMD; TSOP48
Integrated Circuit Operational Amplifier: low-power; CH:4; 1MHz; JFET-input; 7-30V; 0+70 deg.C; SMD; SO14
Transistor: PNP; bipolar; -80V; -4A; 1.25W; -55+150 deg.C; THT; TO126
Transil Diode (TVS); 600W; 28V; 13.2V; unidirectional; -65+150 deg.C; SMD; DO214AA(SMB)
Shottky Diode; 30V; 200mA; 200mW; -55+150 deg.C; SMD; SOT23
Transil Diode (TVS); 600W; 5.8V; 58.1A; unidirectional; -55+175 deg.C; THT; DO15
Integrated Circuit Expander; I2C; open drain; CH:8; 2.5-6V; -40+85 deg.C; SMD; SO16
Logic IC Gate Digital; NAND; CH:4; IN:2; CMOS CD40; Schmitt Trigger; 3-15V; -40+85 deg.C; THT; DIP14
Zener Diode; 18V; 200mW; -65+150 deg.C; SMD; SOD323
Microcontroller PIC16; 8bit Harvard; 20MHz; FLASH 3.5kB; SRAM 224kB; EEPROM 128B; COMP; 3-5.5V; -40+85deg.C; SOIC18
Rectifying Diode; 100V; 1A; -65+150 deg.C; SMD; DO213AB(MELF)
Zdjęcie poglądowe – produkt zgodny z opisem może się różnić od przedstawionego na zdjęciu (kształt, kolor, inne cechy)