Bidirectional Trigger Diode DB-3 Hottech, Power Dissipation 150 mW, Breakover Voltage. 28...36V, Repetitive Peak On-state Current 2A, Package DO-35
Triac 4Q, 4A, 600V, gate trigger current 5/10mA, SOT82, TUBE, WeEn Semiconductors
Triac 4Q, 4A, 600V, gate trigger current 10/25mA, SOT82, TUBE, WeEn Semiconductors
Triac 4Q, 4A, 600V, gate trigger current 10/25mA, TO220, TUBE, WeEn Semiconductors
Triac 4Q, 8A, 600V, gate trigger current 10/25mA, TO220, TUBE, WeEn Semiconductors
Triac BT138-600E, TO-220AB (SOT78); 600V;16A
Planar passivated sensitive gate 4-quadrant triac in a SOT78 (T0-220AB), 600V, 16A, NXP
Zdjęcie poglądowe – produkt zgodny z opisem może się różnić od przedstawionego na zdjęciu (kształt, kolor, inne cechy)